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烫已烫图文导读图1.（a）几种常见半导体热电材料和（b）half-Heusler基热电材料中载流子迁移率在300K时对载流子浓度的不同依赖性。与一般半导体热电材料不同，经价研究发现half-Heusler基热电材料中的载流子迁移率随载流子浓度呈现出先上升再降低的非线性行为，经价而且这个转折点正好对应着相应zT值的最优载流子浓度（图1b）。
成本（b）由第一性原理计算获得的ZrNiSn声子色散关系。麻辣贵麻辣（c）300K下多晶与单晶样品中载流子迁移率随载流子浓度变化的对比。烫已烫载流子迁移率的这种非线性行为意味着该材料体系中存在的其它之前被忽略的重要散射机制。
经价（d）多晶样品中晶格热导率的温度依赖性。计算获得的（d）声子群速度，成本（e）声子散射率和（f）晶格热导率。
根据以上分析结果，麻辣贵麻辣作者们为ZrNiSn1-xSbx基half-Heusler热电材料建立了随温度和载流子浓度变化的散射机制相图（图5）。
烫已烫图4.（a）ZrNiSn中的LO-TOsplitting。张阔，经价中国蹦床运动员。
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